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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP048N
IRFP048N PDF预览

IRFP048N

更新时间： 2024-11-04 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 118K
描述
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=64A)

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IRFP048N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-247AC, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：270 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：64 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：130 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFP048N 数据手册

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PD - 9.1409A  
IRFP048N  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.016Ω  
l Fully Avalanche Rated  
G
ID = 64A  
Description  
S
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The TO-247 package is preferred for commercial-  
industrial applications where higher power levels  
preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is  
similar but superior to the earlier TO-218 package  
because of its isolated mounting hole.  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ꢀ  
64  
45  
A
210  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
140  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.90  
± 20  
270  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Currentꢀ  
mJ  
32  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
14  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.1  
–––  
40  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.24  
–––  
°C/W  
8/25/97  
12345678

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IRFP048N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFP048NPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRFP048 INFINEON

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与IRFP048N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP048N-201PBF INFINEON

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 		64A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFP048N-202PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP048N-204PBF INFINEON

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 		64A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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