5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP048RPBF
IRFP048RPBF PDF预览

IRFP048RPBF

更新时间： 2024-11-24 11:09:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1895K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFP048RPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：5.07
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：190 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFP048RPBF 数据手册

 浏览型号IRFP048RPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFP048RPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFP048RPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFP048RPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFP048RPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFP048RPBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRFP048R, SiHFP048R  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
Available  
• Isolated Central Mounting Hole  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.018  
RoHS*  
• 175 °C Operating Temperature  
• Ease of Paralleling  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
110  
29  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
38  
Configuration  
Single  
DESCRIPTION  
D
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
TO-247  
G
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
S
D
S
G
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP048RPbF  
SiHFP048R-E3  
IRFP048R  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP048R  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
60  
V
VGS  
20  
Continuous Drain Currente  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
70  
52  
VGS at 10 V  
ID  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
290  
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energyb  
1.3  
W/°C  
mJ  
EAS  
PD  
200  
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
190  
W
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d  
- 55 to + 175  
300  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 43 µH, RG = 25 Ω, IAS = 73 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 72 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Current limited by the package (die current = 73 A)  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91199  
S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRFP048RPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP054 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
IRFP054 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFP054_11 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFP054N INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=8
IRFP054N-201PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP054N-202 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP054N-202PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP054N-203PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP054N-204PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP054N-205 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRFP048RPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证