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IRFP064N

更新时间： 2024-11-04 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 109K
描述
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A)

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IRFP064N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-247AC, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：480 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：110 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：390 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFP064N 数据手册

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PD - 9.1383A  
IRFP064N  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.008Ω  
ID = 110A†  
G
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mounting  
hole.  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
110†  
80†  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ꢀ  
A
390  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
480  
mJ  
59  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
20  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.75  
–––  
40  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.24  
–––  
°C/W  
8/25/97  
12345678

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IRFP064N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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与IRFP064N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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