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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 360 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 81 A | 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 290 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN OVER NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP054NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP054PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP054PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP054V | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=9.0mohm, Id=93 |
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| IRFP054VPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = |
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| IRFP064 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP064 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A) |
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| IRFP064_11 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP064N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=1 |
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| IRFP064N-201 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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