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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 69 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 77 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 77 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 71 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 66 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP133 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFP140 | FAIRCHILD |
获取价格 |
31A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRFP140 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP1405 | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRFP1405PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFP140A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFP140N | INTERSIL |
获取价格 |
33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRFP140N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A) |
|
| IRFP140NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP140N-R4942 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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