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IRFP064PBF

更新时间： 2024-02-02 21:23:28
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威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1704K
描述
Power MOSFET

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IRFP064PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：0.71雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：520 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFP064PBF 数据手册

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IRFP064, SiHFP064  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Ultra Low On- Resistance  
• Very Low Thermal Resistance  
• Isolated Central Mounting Hole  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
Available  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.009  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
190  
55  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
90  
Configuration  
Single  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP064PbF  
SiHFP064-E3  
IRFP064  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP064  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
60  
V
20  
T
C = 25 °C  
70  
70  
Continuous Drain Currente  
VGS at 10 V  
ID  
A
TC = 100 °C  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
520  
Linear Derating Factor  
2.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
1000  
70  
EAR  
30  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
300  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d  
- 55 to + 175  
300  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 69 µH, RG = 25 Ω, IAS = 130 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 130 A, dI/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Current limited by the package (die current = 130 A).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91201  
S-Pending-Rev. A, 24-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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IRFP064PBF 替代型号

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