5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AC |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 0.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 520 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP064VPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP130 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP131 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP132 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP133 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP140 | FAIRCHILD |
获取价格 |
31A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRFP140 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP1405 | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRFP1405PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFP140A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
