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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 69 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 77 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 77 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 71 ns | 最大开启时间（吨）： | 66 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP131 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFP132 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP133 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFP140 | FAIRCHILD |
获取价格 |
31A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFP140 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP1405 | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRFP1405PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFP140A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFP140N | INTERSIL |
获取价格 |
33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRFP140N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A) |
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