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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP064_11 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP064N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=1 |
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| IRFP064N-201 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFP064N-201PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFP064N-202PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFP064N-203PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFP064N-204PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFP064N-205 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFP064N-208 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFP064N-208PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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