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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP1405PBF
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IRFP1405PBF

更新时间： 2024-02-19 22:05:57
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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10页 219K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRFP1405PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.82其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：1060 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：160 A最大漏极电流 (ID)：95 A
最大漏源导通电阻：0.0053 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：310 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：640 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFP1405PBF 数据手册

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PD - 95509  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFP1405PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
VDSS = 55V  
R
DS(on) = 5.3mΩ  
G
ID = 95A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
S
D
G
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
160  
110  
95  
D
D
D
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
@ T = 100°C  
C
A
@ T = 25°C  
C
640  
310  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
2.0  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
530  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
1060  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
-55 to + 175  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.49  
–––  
40  
Units  
RθJC  
Rθcs  
RθJA  
Junction-to-Case *  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient *  
0.24  
–––  
°C/W  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
* Rθ is measured at TJ approximately 90°C  
www.irf.com  
1
07/15/04  
1234567...10

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IRFP1405PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Transistor
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