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IRFP140N PDF预览

IRFP140N

更新时间： 2024-01-06 17:25:52
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
10页 129K
描述
33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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IRFP140N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.13Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.077 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：180 W最大功率耗散 (Abs)：180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP140N 数据手册

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IRFP140N  
TM  
Data Sheet  
March 2000  
File Number 4841  
33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-247  
• Ultra Low On-Resistance  
- r  
= 0.040Ω, VGS = 10V  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DS(ON)  
• Simulation Models  
©
- Temperature Compensated PSPICE™ and SABER  
Electrical Models  
©
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.intersil.com  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
DRAIN  
(TAB)  
Ordering Information  
Symbol  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-247  
BRAND  
IRFP140N  
D
IRFP140N  
G
S
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
IRFP140N  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
33  
23  
A
A
C
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
120  
0.80  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Follow proper ESD Handling Procedures.  
1
PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation. SABER© is a Copyright of Analogy Inc.  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Intersil and Design is a trademark of Intersil Corporation. | Copyright © Intersil Corporation 2000  
1234567...10

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