IRFP140N

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
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8页	159K
描述
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)

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IRFP140N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	31 A	最大漏极电流 (ID)：	31 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	180 W	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP140N 数据手册

PD - 91343B

IRFP140N

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

V_DSS= 100V

R_DS(on)= 0.052Ω

I_D= 33A

l Fully Avalanche Rated

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve the

lowestpossibleon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized

device design that HEXFET Power MOSFETs are well

knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient

device for use in a wide variety of applications.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because of its isolated mounting

hole.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10Vꢀ

Pulsed Drain Current ꢀ

110

140

0.91

±20

300

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ꢀ

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

V/ns

5.0

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (1.6mm from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Min.

––––

Typ.

––––

0.24

Max.

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

1.1

––––

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

°C/W

––––

www.irf.com

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IRFP140N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP140NPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
IRFP140N	INTERSIL	功能相似	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET

与IRFP140N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP140NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP140N-R4942	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
IRFP140PBF	INFINEON	获取价格	Preferred for commercail-industrial applications where higher power levels preclude the us
IRFP140PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP140R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-247
IRFP141	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 29A I(D) \| TO-247AC
IRFP141CF	NSC	获取价格	IRFP141CF
IRFP141R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-247
IRFP142	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFP142R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247

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