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IRFP140NPBF

更新时间: 2024-11-24 04:23:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 345K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRFP140NPBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:0.83Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):300 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):27 A
最大漏极电流 (ID):33 A最大漏源导通电阻:0.052 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-247AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):94 W最大脉冲漏极电流 (IDM):110 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFP140NPBF 数据手册

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PD-95711  
IRFP140NPbF  
• Lead-Free  
www.irf.com  
1
8/2/04  

IRFP140NPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFP4410ZPBF INFINEON

类似代替

HEXFET Power MOSFET
IRFP140N INFINEON

类似代替

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)
IRFP140N INTERSIL

功能相似

33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET

与IRFP140NPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP140N-R4942 FAIRCHILD

获取价格

Transistor
IRFP140PBF INFINEON

获取价格

Preferred for commercail-industrial applications where higher power levels preclude the us
IRFP140PBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFP140R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247
IRFP141 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-247AC
IRFP141CF NSC

获取价格

IRFP141CF
IRFP141R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247
IRFP142 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFP142R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247
IRFP143 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AC