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IRFP048

更新时间： 2024-09-25 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1558K
描述
Power MOSFET

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IRFP048 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP048 数据手册

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IRFP048, SiHFP048  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
Available  
• Isolated Central Mounting Hole  
• 175 °C Operating Temperature  
• Ease of Paralleling  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.018  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
110  
29  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
38  
Configuration  
Single  
DESCRIPTION  
D
TO-247  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP048PbF  
SiHFP048-E3  
IRFP048  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP048  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
VDS  
VGS  
60  
V
Gate-Source Voltage  
20  
Continuous Drain Currente  
T
C = 25 °C  
70  
52  
VGS at 10 V  
ID  
Continuous Drain Current  
TC =100°C  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
290  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d  
EAS  
PD  
200  
T
C = 25 °C  
190  
W
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
V/ns  
- 55 to + 175  
300  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 43 µH, RG = 25 Ω, IAS = 73 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 72 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Current limited by the package (die current = 73 A).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91198  
S-Pending-Rev. A, 24-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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与IRFP048相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP048_11 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFP048N INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=64A)
IRFP048N-201PBF INFINEON

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 		64A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFP048N-202PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP048N-204PBF INFINEON

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 		64A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFP048N-205PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP048N-206 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFP048N-206PBF INFINEON

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 		64A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFP048N-207PBF INFINEON

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 		64A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFP048N-208PBF INFINEON

获取价格

 		64A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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