IRFP044

更新时间： 2024-09-24 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	1996K
描述
Power MOSFET

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IRFP044 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AC	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	53 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	57 A
最大漏极电流 (ID)：	57 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP044 数据手册

IRFP044, SiHFP044

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Isolated Central Mounting Hole

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.028

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-247

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.

It also provides greater creepage distances between pins to

meet the requirements of most safety specifications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP044PbF

SiHFP044-E3

IRFP044

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP044

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

230

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

1.2

W/°C

E_AS

P_D

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

180

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 19 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 57 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 52 A, dI/dt ≤ 250 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91197

S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP044N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A)
IRFP044NPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRFP044PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP044PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP045	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 40A I(D) \| TO-247AC
IRFP048	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP048	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
IRFP048_11	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP048N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=64A)
IRFP048N-201PBF	INFINEON	获取价格	64A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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