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IRFNL210B

更新时间： 2024-09-23 22:24:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 681K
描述
200V N-Channel MOSFET

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IRFNL210B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：9 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFNL210B 数据手册

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IRFNL210B  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supply and motor control.  
•
•
•
•
•
•
1.0A, 200V, R  
= 1.5Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 7.2 nC)  
Low Crss ( typical 6.8 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
G !  
"
TO-92L  
IRFNL Series  
!
G
S
D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFNL210B  
200  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
1.0  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
0.93  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
10  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
40  
mJ  
A
3.3  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.031  
5.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
3.1  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.025  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Lead  
--  
40  
°C/W  
θJL  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, December 2002  
12345678

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与IRFNL210B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFNL210BTA_FP001 FAIRCHILD

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 		1000mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, LEAD FREE, TO-92L, 3 PIN
IRFP040 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC
IRFP042 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC
IRFP044 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFP044 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
IRFP044N INFINEON

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 		Power MOSFET
IRFP044PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFP045 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC

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