5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRFN450
IRFN450 PDF预览

IRFN450

更新时间： 2024-11-20 22:24:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
6页 182K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.415ohm, Id=12A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFN450 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.14其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：750 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.4 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.515 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/592子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFN450 数据手册

 浏览型号IRFN450的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFN450的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFN450的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFN450的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFN450的Datasheet PDF文件第6页 
Previous Datasheet  
Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD-9.418A  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRFN450  
N-CHANNEL  
Product Summary  
500 Volt, 0.415Ω HEXFET  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s  
advanced line of power MOSFET transistors.The effi-  
cient geometry achieves very low on-stateresistancecom-  
binedwithhightransconductance.  
IRFN450  
500V  
0.415Ω  
12A  
Features:  
HEXFET transistors also feature all of the well-establish  
advantages of MOSFETs, such as voltage control, very  
fast switching, ease of paralleling and electrical param-  
eter temperature stability. They are well-suited for appli-  
cations such as switching power supplies, motor controls,  
inverters, choppers, audio amplifiers, and high energy  
pulse circuits.  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
■ Surface Mount  
■ Light-weight  
The Surface Mount Device (SMD-1) package represents  
another step in the continual evolution of surface mount  
technology. The SMD-1 will give designers the extra flex-  
ibility they need to increase circuit board density. Inter-  
national Rectifier has engineered the SMD-1 package to  
meet the specific needs of the power market by increas-  
ing the size of the termination pads, thereby enhancing  
thermal and electrical performance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
C
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
IRFN450  
12.0  
8.0  
Units  
I
@ V  
D
GS  
A
I
D
@ V  
GS  
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
48  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/K ➄  
V
D
C
1.2  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
750  
12.0  
mJ  
AS  
I
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
15.0  
mJ  
AR  
dv/dt  
3.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
(for 5 seconds)  
2.6 (typical)  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300  
To Order  
 
 
123456

中文翻译

下载PDF

IRFN450 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N7228U INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-1)
JANTX2N7228U INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-1)
IRFM450 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

与IRFN450相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFN5210 SEME-LAB

获取价格

 		P-CHANNEL POWER MOSFET
IRFN5210

获取价格

 		P-Channel Power MOSFET
IRFN9034 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFN9034PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFN9130SMD05 ETC

获取价格

 		P-Channel
IRFN9140 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-18A)
IRFN9140SMD SEME-LAB

获取价格

 		P-CHANNEL POWER MOSFET
IRFN9240 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.51ohm, Id=-11A)
IRFN9240 SEME-LAB

获取价格

 		P–CHANNEL POWER MOSFET
IRFN9240SMD SEME-LAB

获取价格

 		P-CHANNEL POWER MOSFET

与IRFN450相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证