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IRFN9240 PDF预览

IRFN9240

更新时间： 2024-11-20 11:09:39
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB /
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
P–CHANNEL POWER MOSFET

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IRFN9240 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-276AB
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-276ABJESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFN9240 数据手册

 浏览型号IRFN9240的Datasheet PDF文件第2页 
IRF9240  
IRFN9240  
IRF9240SMD  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
P–CHANNEL  
POWER MOSFET  
25.15 (0.99)  
26.67 (1.05)  
6.35 (0.25)  
9.15 (0.36)  
10.67 (0.42)  
11.18 (0.44)  
IRF9240  
1.52 (0.06)  
3.43 (0.135)  
D
1
2
3
(case)  
G
3.84 (0.151)  
4.09 (0.161)  
7.92 (0.312)  
12.70 (0.50)  
S
TO–3 Package (TO-204AA)  
Pin 1 – Gate Pin 2 – Source Pin 3 – Drain  
FEATURES  
0
.
8
9
• P–CHANNEL POWER MOSFET  
• HIGH VOLTAGE  
(
0
.
0
3
5
)
m
i
n
.
3
3
.
.
7
4
0
1
(
(
0
0
.
.
1
1
4
3
6
4
)
)
3
3
.
.
7
4
0
1
(
(
0
0
.
.
1
1
4
3
6
4
)
)
3
.
6
0
(
0
.
1
4
2
)
IRFN9240SMD  
M
a
x
.
1
3
• INTEGRAL PROTECTION DIODE  
• AVAILABLE IN TO-3 (TO-204AA) AND  
CERAMIC SURFACE MOUNT SMD1  
(TO276AB)PACKAGE  
2
9
9
.
.
6
3
7
8
(
(
0
0
.
.
3
3
8
6
1
9
)
)
0
0
.
.
5
2
0
6
(
(
0
0
.
.
0
0
2
1
0
0
)
)
1
1
1
1
.
.
5
2
8
8
(
(
0
0
.
.
4
4
5
4
6
4
)
)
Note: IRF9240SMD also available with  
pins 1 and 3 reversed on SMD 1  
package.  
SMD1 (TO276AB)  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Drain  
Pin 3 – Source  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
V
V
Drain – Source Voltage  
–200V  
–200V  
±20V  
DSS  
DGR  
GS  
Drain – Gate Voltage (R = 20KΩ)  
GS  
Gate – Source Voltage  
I
Continuous Drain Current  
@ T  
@ T  
= 25°C  
–11A  
D
case  
= 100°C  
–7.0A  
–44A  
case  
I
Pulsed Drain Current  
DM  
P
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
@ T  
= 25°C  
125W  
1W / °C  
D
case  
T
T
j
–55 to 150°C  
stg  
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed  
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.  
Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Document Number 3345  
Issue 2  
12

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