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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.18 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 530 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFNG50 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A) |
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| IRFNJ130N | SEME-LAB |
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N–CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFNJ5305 | SEME-LAB |
获取价格 |
P–CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFNJ540 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
|
| IRFNJ9130 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
|
| IRFNJZ48 | SEME-LAB |
获取价格 |
NâCHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRFNL210B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
|
| IRFNL210BTA_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, LEAD FREE, TO-92L, 3 PIN |
|
| IRFP040 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC |
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| IRFP042 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC |
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