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IRFN9140

更新时间： 2024-02-11 19:53:00
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英飞凌 - INFINEON /
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6页 187K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-18A)

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IRFN9140 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFN9140 数据手册

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Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD-9.1553  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRFN9140  
N-CHANNEL  
Product Summary  
-100 Volt, 0.20Ω HEXFET  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s  
advanced line of power MOSFET transistors.The effi-  
cient geometry achieves very low on-stateresistancecom-  
binedwithhightransconductance.  
IRFN9140  
-100V  
0.20Ω  
-18A  
Features:  
HEXFET transistors also feature all of the well-establish  
advantages of MOSFETs, such as voltage control, very  
fast switching, ease of paralleling and electrical param-  
eter temperature stability. They are well-suited for appli-  
cations such as switching power supplies, motor controls,  
inverters, choppers, audio amplifiers, and high energy  
pulse circuits.  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
■ Surface Mount  
■ Light-weight  
The Surface Mount Device (SMD-1) package represents  
another step in the continual evolution of surface mount  
technology. The SMD-1 will give designers the extra flex-  
ibility they need to increase circuit board density. Inter-  
national Rectifier has engineered the SMD-1 package to  
meet the specific needs of the power market by increas-  
ing the size of the termination pads, thereby enhancing  
thermal and electrical performance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
C
IRFN9140  
-18  
Units  
I
@ V  
D
GS  
A
I
D
@ V  
= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
-11  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
-72  
DM  
@ T = 25°C  
P
125  
W
W/K ➄  
V
D
C
1.0  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
500  
-18  
mJ  
AS  
I
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
12.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
-5.0  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
(for 5 seconds)  
2.6 (typical)  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300  
To Order  
 
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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