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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFN9130SMD05 | ETC |
获取价格 |
P-Channel |
|
| IRFN9140 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-18A) |
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| IRFN9140SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFN9240 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.51ohm, Id=-11A) |
|
| IRFN9240 | SEME-LAB |
获取价格 |
P–CHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRFN9240SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFNG40 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=3.9A) |
|
| IRFNG50 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A) |
|
| IRFNJ130N | SEME-LAB |
获取价格 |
N–CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFNJ5305 | SEME-LAB |
获取价格 |
P–CHANNEL POWER MOSFET |
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