是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-276AB |
包装说明: | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.32 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 780 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 34 A | 最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-276AB |
JESD-30 代码: | R-CBCC-N3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFN9034 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFN9034PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFN9130SMD05 | ETC |
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P-Channel | |
IRFN9140 | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-18A) | |
IRFN9140SMD | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFN9240 | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.51ohm, Id=-11A) | |
IRFN9240 | SEME-LAB |
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P–CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFN9240SMD | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFNG40 | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=3.9A) | |
IRFNG50 | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A) |