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IRFN3710 PDF预览

IRFN3710

更新时间： 2024-02-21 09:52:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 91K
描述
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A)

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IRFN3710 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CDSO-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFN3710 数据手册

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Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD-9.1417  
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED  
HEXFET® TRANSISTOR  
IRFN3710  
N-CHANNEL  
Product Summary  
100 Volt, 0.028Ω, HEXFET  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
Generation 5 HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
the lowest possible on-resistance per silicon area.  
This benefit, combined with the fast switching speed  
and ruggedized device design for which HEXFETs  
are well known, provides the designer with an ex-  
tremely efficient device for use in a wide variety of  
applications.  
IRFN3710  
100V  
0.028Ω  
45A  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Surface Mount  
Small Footprint  
Alternative to TO-3 Package  
Hermetically Sealed  
Avalanche Energy Rating  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Lightweight  
The Surface Mount Device 1 (SMD-1) package rep-  
resents anothther step in the continual evolution of  
surface mount technology. Designed to be a close  
replacement for the TO-3 package, the SMD-1 will  
give designers the extra flexibility they need to in-  
crease circuit board density.International Rectifier has  
engineered the SMD-1 package to meet the specific  
needs of the power market by increasing the size of  
the termination pads, thereby enhancing thermal and  
electical performance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
C
IRFN3710  
45  
Units  
I
D
@ V  
GS  
A
I
D
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
28  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current   
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
180  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
125  
W
W/K ꢀ  
V
C
1.0  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current   
690  
mJ  
AS  
I
27  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
12.5  
5.0  
mJ  
AR  
dv/dt  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
STG  
300 (for 5 sec.)  
2.6 (typical)  
To Order  
 
 
1234

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