是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-92 | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.6 A |
最大漏源导通电阻: | 2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 10 pF | JEDEC-95代码: | TO-92 |
JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.8 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRFN240 | INFINEON | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
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IRFN240SMD | SEME-LAB | N-CHANNEL POWER MOSFET |
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IRFN250 | INFINEON | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.100ohm, Id=27.4A) |
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IRFN250 | SEME-LAB | N–CHANNEL POWER MOSFET |
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IRFN250PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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IRFN250SMD | SEME-LAB | N-CHANNEL POWER MOSFET |
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