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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRFN214B
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IRFN214B

更新时间： 2024-02-28 06:44:14
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 608K
描述
250V N-Channel MOSFET

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IRFN214B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：0.6 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：10 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFN214B 数据手册

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IRFN214B  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
0.6A, 250V, R  
= 2.0Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 8.1 nC)  
Low Crss ( typical 7.5 pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for electronic lamp ballast.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
G
!
"
TO-92  
IRFN Series  
!
G
D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
IRFN214B  
250  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
0.6  
A
D
A
- Continuous (T = 70°C)  
0.4  
A
A
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
2.4  
A
DM  
V
E
I
E
dv/dt  
P
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
± 30  
45  
0.6  
0.18  
4.8  
1.8  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
AR  
Power Dissipation (T = 25°C)  
D
L
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.01  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
--  
Max  
70  
100  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Lead  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJL  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2004  
12345678

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与IRFN214B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFN214BTA_FP001 FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFN240 INFINEON

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 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
IRFN240SMD SEME-LAB

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 		N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFN250 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.100ohm, Id=27.4A)
IRFN250 SEME-LAB

获取价格

 		N–CHANNEL POWER MOSFET
IRFN250PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IRFN250SMD SEME-LAB

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IRFN340 INFINEON

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 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=10A)
IRFN340PBF INFINEON

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 		暂无描述
IRFN340SMD SEME-LAB

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 		N-CHANNEL POWER MOSFET

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