5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFN150SMD
IRFN150SMD PDF预览

IRFN150SMD

更新时间： 2024-11-19 22:24:07
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFN150SMD 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：27 A
最大漏源导通电阻：0.081 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFN150SMD 数据手册

 浏览型号IRFN150SMD的Datasheet PDF文件第2页 
IRFN150SMD  
S E M E  
LA B  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
POWER MOSFET  
0
.
8
9
(
0
.
0
3
5
)
m
i
n
.
3
3
.
.
7
4
0
1
(
(
0
0
.
.
1
1
4
3
6
4
)
)
3
3
.
.
7
4
0
1
(
(
0
0
.
.
1
1
4
3
6
4
)
)
3
.
6
0
(
0
.
1
4
2
)
VDSS  
100V  
19A  
M
a
x
.
ID(cont)  
RDS(on)  
1
3
0.070  
FEATURES  
2
• HERMETICALLY SEALED SURFACE  
MOUNT PACKAGE  
• SMALL FOOTPRINT – EFFICIENT USE OF  
PCB SPACE.  
9
9
.
.
6
3
7
8
(
(
0
0
.
.
3
3
8
6
1
9
)
)
. • SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS  
0
0
.
.
5
2
0
6
)
)
(
(
0
0
0
0
2
1
0
0
1
1
1
1
.
.
5
2
8
8
(
(
0
0
.
.
4
4
5
4
6
4
)
)
.
• LIGHTWEIGHT  
• HIGH PACKING DENSITIES  
SMD1  
Pad 1 – Source  
Pad 2 – Drain  
Pad 3 – Gate  
Note: IRFxxxSM also available with  
pins 1 and 3 reversed.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
Gate – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
±20V  
27A  
GS  
I
I
I
(V = 0 , T  
= 25°C)  
D
GS  
case  
case  
(V = 0 , T  
= 100°C)  
19A  
D
GS  
1
Pulsed Drain Current  
108A  
DM  
P
Power Dissipation @ T = 25°C  
case  
100W  
D
Linear Derating Factor  
0.8W/°C  
150mJ  
5.5V/ns  
–55 to 150°C  
300°C  
2
E
Single Pulse Avalanche Energy  
AS  
3
dv/dt  
T , T  
Peak Diode Recovery  
Operating and Storage Temperature Range  
J
stg  
T
Package Mounting Surface Temperature (for 5 sec)  
Thermal Resistance Junction to Case  
L
R
R
1.25°C/W  
3°C/W  
JC  
J–PCB  
Thermal Resistance Junction to PCB (Typical)  
Notes  
1) Pulse Test: Pulse Width 300ms,  
2%  
2) @ V = 25V , L 0.3mH , R = 25 , Peak I = 27A , Starting T = 25°C  
DD  
G
L
J
3) @ I  
27A , di/dt 70A/ s , V  
BV  
, T  
150°C , SUGGESTED R = 2.35  
G
SD  
DD  
DSS  
J
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim.7/00  
12

中文翻译

下载PDF

与IRFN150SMD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFN214B FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
IRFN214BTA_FP001 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFN240 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
IRFN240SMD SEME-LAB

获取价格

 		N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFN250 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.100ohm, Id=27.4A)
IRFN250 SEME-LAB

获取价格

 		N–CHANNEL POWER MOSFET
IRFN250PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IRFN250SMD SEME-LAB

获取价格

 		N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFN340 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=10A)
IRFN340PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述

与IRFN150SMD相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证