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IRFN054 PDF预览

IRFN054

更新时间： 2024-11-04 22:24:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 187K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.020ohm, Id=55A*)

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IRFN054 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：480 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.031 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CDSO-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：256 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFN054 数据手册

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Index  
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Provisional Data Sheet No. PD-9.1543A  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRFN054  
N-CHANNEL  
60 Volt, 0.020Ω HEXFET  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
tors. The efficient geometry achieves very low on-  
state resistance combined with high transconductance.  
IRFN054  
60V  
0.020Ω  
55A*  
Features:  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
electrical parameter temperature stability. They are  
well-suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, and high energy pulse circuits.  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
■ Surface Mount  
■ Light-weight  
The Surface Mount Device (SMD-1) package repre-  
sents another step in the continual evolution of sur-  
face mount technology. The SMD-1 will give  
designers the extra flexibility they need to increase  
circuit board density. International Rectifier has en-  
gineered the SMD-1 package to meet the specific  
needs of the power market by increasing the size of  
the termination pads, thereby enhancing thermal and  
electrical performance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
C
IRFN054  
55*  
Units  
I
D
@ V  
GS  
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
40  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
256  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/K ➄  
V
D
C
1.2  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
480  
55  
mJ  
AS  
AR  
I
A
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
15  
mJ  
AR  
dv/dt  
4.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
(for 5 seconds)  
2.6 (typical)  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300  
To Order  
 
 
123456

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