5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM9240D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM9240DPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM9240U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM9240UPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFMA450 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (Tabless TO-254AA) |
|
| IRFMG40 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE 1000V, N-CHANNEL |
|
| IRFMG40A | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRFMG40CDV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRFMG40D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFMG40DPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
