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IRFMG50SCV

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

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1000V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV

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IRFMG50SCV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	860 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	5.6 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFMG50SCV 数据手册

PD-90711C

IRFMG50

1000V, N-CHANNEL

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

HEXFET^®MOSFET TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

RDS(on)

IRFMG50

2.0Ω

5.6A

HEXFET^®MOSFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry design achieves very low on-state

resistance combined with high transconductance.

HEXFET transistors also feature all of the well-established

advantages of MOSFETs, such as voltage control, very

fast switching, ease of paralleling and electrical parameter

temperature stability. They are well-suited for applications

such as switching power supplies, motor controls,

inverters, choppers, audio amplifiers, high energy pulse

circuits, and virtually any application where high reliability

is required. The HEXFET transistor’s totally isolated

package eliminates the need for additional isolating

material between the device and the heatsink. This

improves thermal efficiency and reduces drain capacitance.

TO-254AA

Features:

n Simple Drive Requirements

n Ease of Paralleling

n Hermetically Sealed

n Electrically Isolated

n Ceramic Eyelets

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current

5.6

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

3.5

22.4

150

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

1.2

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

±20

860

5.6

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

V/ns

dv/dt

1.0

-55 to 150

Storage Temperature Range

°C

STG

Lead Temperature

Weight

300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)

9.3 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

06/23/08

12 3 4 5 6 7

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与IRFMG50SCV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFMG50SCX	INFINEON	获取价格	1000V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRFMG50U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 5.6A I(D) \| TO-254VAR
IRFMG50UPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFMJ044	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET SURFACE MOUNT (D3 PAK)
IRFML8244	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFML8244PBF	INFINEON	获取价格	Load/ System Switch
IRFML8244TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFML8244TRPbF	INFINEON	获取价格	Load/ System Switch
IRFML8244TRPBF	TYSEMI	获取价格	HEXFETpower MOSFET Multi-vendor compatibility Easier manufacturing Easier manufacturing
IRFN044	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.040ohm, Id=44A)

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