是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.8 |
雪崩能效等级(Eas): | 520 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 34 A |
最大漏源导通电阻: | 0.07 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-254AA | JESD-30 代码: | S-XSFM-P3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 136 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFM540 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFM8240 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) | |
IRFM9034 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFM9034PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFM9130 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M | |
IRFM9130PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M | |
IRFM9140 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) | |
IRFM9140A | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - | |
IRFM9140D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-254VAR | |
IRFM9140PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |