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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM9034PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFM9130 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| IRFM9130PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| IRFM9140 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
|
| IRFM9140A | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - |
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| IRFM9140D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM9140PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFM9140U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM9230 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-254AA |
|
| IRFM9230PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.81ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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