Datasheet > IRFM3205

IRFM3205

更新时间： 2024-11-21 11:09:39

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		/
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
N–CHANNEL POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFM3205 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON

IRFM3205 数据手册

IRFM3205

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

13.59 (0.535)

13.84 (0.545)

6.32 (0.249)

6.60 (0.260)

3.53 (0.139)

Dia.

1.02 (0.040)

1.27 (0.050)

V_DSS

55V

35A

3.78 (0.149)

I_D(cont)

R_DS(on)

Ω

0.015

FEATURES

• N–CHANNEL MOSFET

• HERMETIC ISOLATED TO-254 PACKAGE

• CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE

OPTION

0.89 (0.035)

1.14 (0.045)

3.81 (0.150)

BSC

3.81 (0.150)

BSC

TO–254AA – Isolated Metal Package

Pin 1 – Drain

Pin 2 – Source

Pin 3 – Gate

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Gate – Source Voltage

±20V

35A

Continuous Drain Current*

@ V = 10V , T = 25°C

GS C

@ V = 10V , T = 100°C

35A

Pulsed Drain Current

140A

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Avalanche Current , Clamped

@ T = 25°C

125W

1.0W / °C

35A

dv / dt

Peak Diode Recovery

2.6V / ns

1.0°C / W

–55 to 150°C

300°C

Thermal Resistance Junction – Case

θJC

T , T

Operating Junction and Storage Temperature Range

Lead Temperature (1.6mm from case for 10s)

STG

Repetative Rating: Pulse width limited by Max. Junction Temperature.

≤ 35A , di/dt ≤ 230A / µS , V ≤ BV

, T ≤ 150°C

DSS J

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 5606

Issue 1

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

中文翻译

下载PDF

与IRFM3205相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFM340	INFINEON	获取价格	400V. N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY
IRFM340D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-254VAR
IRFM340U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-254VAR
IRFM340UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM350	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFM350	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM350	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM350D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-254VAR
IRFM350U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-254VAR
IRFM360	INFINEON	获取价格	400V, N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY

与IRFM3205相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFM3205

IRFM3205 技术参数

IRFM3205 数据手册

与IRFM3205相关器件

与IRFM3205相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFM3205

IRFM3205 技术参数

IRFM3205 数据手册

与IRFM3205相关器件

与IRFM3205相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？