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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-254AA | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM450D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM450DPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFM450PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFM450U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM460 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
|
| IRFM460D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM460SCV | INFINEON |
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500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV |
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| IRFM460SCX | INFINEON |
获取价格 |
500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX |
|
| IRFM460U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM5210 | SEME-LAB |
获取价格 |
P?CHANNEL MOSFET |
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