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IRFM360

更新时间： 2024-11-17 21:54:39
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英飞凌 - INFINEON /
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7页 513K
描述
400V, N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY

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IRFM360 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.28其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：980 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.23 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-MSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：92 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRFM360 数据手册

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PD - 90712B  
IRFM360  
400V, N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
HEXFET® MOSFETTECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
RDS(on)  
ID  
IRFM360  
0.20 Ω  
23A  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advan-  
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-  
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-254AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Dynamic dv/dt Rating  
Light-weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
23  
14  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
92  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
2.0  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
20  
GS  
E
980  
23  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
Lead Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
2/11/02  
1234567

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与IRFM360相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFM360B INFINEON

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 		400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package -
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