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IRFM360B

更新时间： 2024-09-26 14:56:15

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描述
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package -

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IRFM360B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	980 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.23 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFM360B 数据手册

PD-90712C

IRFM360

400V, N-CHANNEL

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

HEXFET^®MOSFET TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

RDS(on)

IRFM360

0.20 Ω

23A

HEXFET^®MOSFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry design achieves very low on-state

resistance combined with high transconductance. HEXFET

transistors also feature all of the well-established advantages

of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching,

ease of paralleling and electrical parameter temperature

stability. They are well-suited for applications such as

switching power supplies, motor controls, inverters,

choppers, audio amplifiers, high energy pulse circuits, and

virtually any application where high reliability is required.

The HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates

the need for additional isolating material between the device

and the heatsink. This improves thermal efficiency and

reduces drain capacitance.

TO-254AA

Features:

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Electrically Isolated

Dynamic dv/dt Rating

Light-weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

@ T = 25°C

250

2.0

W/°C

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

±20

980

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

V/ns

dv/dt

4.0

-55 to 150

Storage Temperature Range

°C

STG

300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)

9.3 (Typical)

Lead Temperature

Weight

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

05/12/15

12 3 4 5 6 7

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与IRFM360B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFM360D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-254VAR
IRFM360SCX	INFINEON	获取价格	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRFM360U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-254VAR
IRFM440	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM440D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-254VAR
IRFM440DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM440PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM440U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-254VAR
IRFM440UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM450	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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