5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM350D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM350U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM360 | INFINEON |
获取价格 |
400V, N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY |
|
| IRFM360 |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
|
| IRFM360B | INFINEON |
获取价格 |
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - |
|
| IRFM360D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM360SCX | INFINEON |
获取价格 |
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX |
|
| IRFM360U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM440 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
|
| IRFM440D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-254VAR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
