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IRFM260SCV

更新时间： 2024-11-19 14:56:23

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描述
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV

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IRFM260SCV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.068 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFM260SCV 数据手册

PD - 91388C

IRFM260

200V, N-CHANNEL

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

HEXFET^®MOSFET TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

RDS(on)

IRFM260

0.060 Ω

35A*

HEXFET^®MOSFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry design achieves very low on-

state resistance combined with high transconductance.

HEXFET transistors also feature all of the well-

established advantages of MOSFETs, such as voltage

control, very fast switching, ease of paralleling and

electrical parameter temperature stability. They are well-

suited for applications such as switching power supplies,

motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers,

high energy pulse circuits, and virtually any application

where high reliability is required. The HEXFET

transistor’s totally isolated package eliminates the need

for additional isolating material between the device and

the heatsink. This improves thermal efficiency and

reduces drain capacitance.

TO-254AA

Features:

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Electrically Isolated

Dynamic dv/dt Rating

n Light-weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

35*

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

140

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

250

W/°C

2.0

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

±20

700

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

V/ns

dv/dt

4.3

-55 to 150

^oC

Storage Temperature Range

STG

300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)

9.3 (Typical)

Lead Temperature

Weight

* Current is limited by Package

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

01/18/07

12 3 4 5 6 7

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与IRFM260SCV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFM260SCX	INFINEON	获取价格	200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRFM3205	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL POWER MOSFET
IRFM340	INFINEON	获取价格	400V. N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY
IRFM340D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-254VAR
IRFM340U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-254VAR
IRFM340UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM350	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFM350	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM350	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM350D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-254VAR

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