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IRFM220BD84Z

更新时间： 2024-11-16 19:33:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	727K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRFM220BD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	65 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	1.13 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFM220BD84Z 数据手册

November 2001

IRFM220B

200V N-Channel MOSFET

General Description

Features

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild’s proprietary,

planar, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the

avalanche and commutation mode. These devices are well

suited for high efficiency switching DC/DC converters,

switch mode power supplies, DC-AC converters for

uninterrupted power supply and motor control.

•

1.13A, 200V, R

= 0.8Ω @V = 10 V

DS(on) GS

Low gate charge ( typical 12 nC)

Low Crss ( typical 10 pF)

Fast switching

Improved dv/dt capability

! "

G !

SOT-223

IRFM Series

Absolute Maximum Ratings

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

IRFM220B

200

Units

Drain-Source Voltage

DSS

- Continuous (T = 25°C)

Drain Current

1.13

- Continuous (T = 70°C)

0.9

(Note 1)

Drain Current

- Pulsed

9.0

Gate-Source Voltage

± 30

GSS

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

1.13

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

0.24

V/ns

dv/dt

5.5

Power Dissipation (T = 25°C)

2.4

- Derate above 25°C

Operating and Storage Temperature Range

0.019

-55 to +150

W/°C

°C

T , T

STG

Maximum lead temperature for soldering purposes,

300

°C

1/8" from case for 5 seconds

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ

Max

Units

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *

°C/W

θJA

* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)

Rev. B, November 2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFM220BTF	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFM224A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 920MA I(D) \| SOT-223
IRFM224B	FAIRCHILD	获取价格	250V N-Channel MOSFET
IRFM224BD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.92A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM224BS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.92A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM224BTF_FP001	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFM240	SEME-LAB	获取价格	N?CHANNEL POWER MOSFET
IRFM240	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM240	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
IRFM240D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-254VAR

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