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IRFM250

更新时间： 2024-01-20 15:06:29
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 165K
描述
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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IRFM250 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-254AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.24雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：27.4 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：R-MSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：225 ns
Base Number Matches：1

IRFM250 数据手册

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PD - 90554E  
IRFM250  
JANTX2N7225  
JANTXV2N7225  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
REF:MIL-PRF-19500/592  
200V, N-CHANNEL  
HEXFET® MOSFETTECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
RDS(on)  
ID  
IRFM250  
0.100 Ω  
27.4A  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advan-  
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-  
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-254AA  
Features:  
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Dynamic dv/dt Rating  
n Light-weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
27.4  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
17  
110  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
27.4  
15.0  
5.0  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
Lead Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
1/9/01  
1234567

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IRFM250 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N7225U INFINEON

完全替代

 200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANTXV2N7225U with Hermetic Pac
JANTXV2N7225 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANTX2N7225 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

与IRFM250相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFM250_06 SEME-LAB

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 		N–CHANNEL POWER MOSFET
IRFM250D ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-254VAR
IRFM250D

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
IRFM250U ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-254VAR
IRFM260 INFINEON

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 		TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=35A*)
IRFM260SCV INFINEON

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 		200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
IRFM260SCX INFINEON

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 		200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRFM3205 SEME-LAB

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 		N–CHANNEL POWER MOSFET
IRFM340 INFINEON

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 		400V. N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY
IRFM340D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254VAR

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