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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM240UPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFM250 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFM250 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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| IRFM250 | TEMIC |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFM250 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA |
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| IRFM250_06 | SEME-LAB |
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N–CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFM250D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-254VAR |
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| IRFM250D |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
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| IRFM250U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM260 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=35A*) |
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