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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.77 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM210AL99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFM210ATF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFM210B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
|
| IRFM210BD84Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM210BL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM210BS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM210BTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFM214A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 640MA I(D) | SOT-223 |
|
| IRFM214B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFM214BTF_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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