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IRFM150

更新时间: 2024-01-06 19:18:48
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 313K
描述
REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED

IRFM150 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.65Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):150 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):34 A最大漏源导通电阻:0.081 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:R-MSFM-P3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):136 A表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFM150 数据手册

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IRFM150 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N7224 INFINEON

完全替代

REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED
JANTX2N7224 INFINEON

完全替代

REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED
IRFN150 INFINEON

完全替代

POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.060ohm, Id=34A)

与IRFM150相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFM150D ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254VAR
IRFM150PBF INFINEON

获取价格

暂无描述
IRFM150U INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFM150UPBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFM210 FAIRCHILD

获取价格

200V N-Channel MOSFET
IRFM210A FAIRCHILD

获取价格

Advanced Power MOSFET (200V, 1.5ohm, 0.77A)
IRFM210AD84Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFM210AL99Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFM210ATF FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFM210B FAIRCHILD

获取价格

200V N-Channel MOSFET