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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2N7224
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2N7224

更新时间： 2024-11-20 06:16:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 98K
描述
N-CHANNEL MOSFET

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2N7224 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-254AA包装说明：FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.09Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：34 A最大漏极电流 (ID)：34 A
最大漏源导通电阻：0.081 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-CSFM-P3
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：136 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7224 数据手册

 浏览型号2N7224的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
N-CHANNEL MOSFET  
Qualified per MIL-PRF-19500/592  
DEVICES  
LEVELS  
2N7224 2N7224U  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Drain – Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Gate – Source Voltage  
VGS  
± 20  
Continuous Drain Current  
ID1  
ID2  
Ptl  
34  
21  
Adc  
Adc  
W
TC = +25°C  
TC = +100°C  
TC = +25°C  
Continuous Drain Current  
Max. Power Dissipation  
150 (1)  
Drain to Source On State Resistance  
Operating & Storage Temperature  
Rds(on)  
0.070 (2)  
Ω
TO-254AA  
Top, Tstg  
-55 to +150  
°C  
Note: (1) Derated Linearly by 1.2 W/°C for TC > +25°C  
(2) VGS = 10Vdc, ID = 21A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
VGS = 0V, ID = 1mAdc  
V(BR)DSS  
100  
Vdc  
Gate-Source Voltage (Threshold)  
V
DS ≥ VGS, ID = 0.25mA  
VDS ≥ VGS, ID = 0.25mA, Tj = +125°C  
DS ≥ VGS, ID = 0.25mA, Tj = -55°C  
VGS(th)1  
VGS(th)2  
VGS(th)3  
2.0  
1.0  
4.0  
5.0  
Vdc  
V
Gate Current  
GS = ±20V, VDS = 0V  
VGS = ±20V, VDS = 0V, Tj = +125°C  
U-PKG (SMD-1)  
(TO-267AB)  
V
IGSS1  
IGSS2  
±100  
±200  
nAdc  
Drain Current  
VGS = 0V, VDS = 80V  
IDSS1  
IDSS2  
25  
0.25  
µAdc  
mAdc  
VGS = 0V, VDS = 80V, Tj = +125°C  
Static Drain-Source On-State Resistance  
VGS = 10V, ID = 21A pulsed  
Ω
Ω
rDS(on)1  
rDS(on)2  
0.070  
0.081  
V
GS = 10V, ID = 34A pulsed  
Tj = +125°C  
GS = 10V, ID = 21A pulsed  
V
rDS(on)3  
VSD  
0.11  
1.8  
Ω
Diode Forward Voltage  
GS = 0V, ID = 34A pulsed  
Vdc  
V
T4-LDS-0102 Rev. 1 (090097)  
Page 1 of 2  
12

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2N7224 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N7224 MICROSEMI

完全替代

 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/592

与2N7224相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N72241N6036 MICROSEMI

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 		1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
2N72241N6036A MICROSEMI

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 		1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
2N72241N6036AE3 MICROSEMI

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 		1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
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 		1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
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2N7224D INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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