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2N7227

更新时间： 2024-11-19 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
JEDEC REGISTERED N - CHANNEL HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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2N7227 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.27其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.315 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-MSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：150 W最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

2N7227 数据手册

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D
S
TO-254  
G
2N7227 400 Volt 0.315Ω  
JX2N7227*  
JV2N7227*  
TM  
POWER MOS IV  
*QUALIFIED TO MIL-S-19500/592 31/7/92  
JEDEC REGISTERED N -CHANNEL HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
2N7227  
400  
±20  
14  
UNIT  
VDSS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Volts  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current @ TC = 100°C  
ID  
9
d
Amps  
Watts  
1
IDM  
IAR  
Pulsed Drain Current  
56  
14  
1
Avalanche Current  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Total Power Dissipation @ TC = 100°C  
Linear Derating Factor  
150  
PD  
60  
1.2  
W/K  
mJ  
EAS  
EAR  
Single Pulse Avalanche Energy  
700  
Repetitive Avalanche Energy  
15  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Max. Lead Temp. for Soldering Conditions: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
UNIT  
MIN  
TYP  
MAX  
BVDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
400  
valanche Rated  
Volts  
VGS(TH)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 250µA)  
2
4
A
Avalanche Rate  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V)  
25  
IDSS  
µA  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
250  
±100  
IGSS  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±20V, VDS = 0V)  
nA  
2
ID(ON)  
On State Drain Current (VDS > ID(ON) x RDS(ON) Max, VGS = 10V)  
Amps  
14  
2
Drain-Source On-State Resistance (VGS = 10V, ID = 9.0A)  
0.315  
0.680  
0.415  
2
Ohms  
Drain-Source On-State Resistance (VGS = 10V, ID = 9.0A, TC = 125°C)  
RDS(ON)  
2
Drain-Source On-State Resistance (VGS = 10V, ID = 14.0A)  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7227_10 MICROSEMI

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 		N-CHANNEL MOSFET
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