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2N7225 PDF预览

2N7225

更新时间： 2024-11-20 07:29:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
N-CHANNEL MOSFET

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2N7225 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-254AA包装说明：FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.09Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：27.4 A最大漏极电流 (ID)：27.4 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-CSFM-P3
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：GOLD OVER NICKEL
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7225 数据手册

 浏览型号2N7225的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
N-CHANNEL MOSFET  
Qualified per MIL-PRF-19500/592  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N7225 2N7225U  
JANTX  
JANTXV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Drain – Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Value  
200  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Gate – Source Voltage  
VGS  
± 20  
Continuous Drain Current  
ID1  
ID2  
Ptl  
27.4  
17  
Adc  
Adc  
W
TC = +25°C  
TC = +100°C  
TC = +25°C  
Continuous Drain Current  
Max. Power Dissipation  
150 (1)  
Drain to Source On State Resistance  
Operating & Storage Temperature  
Rds(on)  
0.1 (2)  
Ω
TO-254AA  
Top, Tstg  
-55 to +150  
°C  
Note: (1) Derated Linearly by 1.2 W/°C for TC > +25°C  
(2) VGS = 10Vdc, ID = 17A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
VGS = 0V, ID = 1mAdc  
V(BR)DSS  
200  
Vdc  
Gate-Source Voltage (Threshold)  
V
DS ≥ VGS, ID = 0.25mA  
VDS ≥ VGS, ID = 0.25mA, Tj = +125°C  
DS ≥ VGS, ID = 0.25mA, Tj = -55°C  
VGS(th)1  
VGS(th)2  
VGS(th)3  
2.0  
1.0  
4.0  
5.0  
Vdc  
V
Gate Current  
GS = ±20V, VDS = 0V  
VGS = ±20V, VDS = 0V, Tj = +125°C  
V
IGSS1  
IGSS2  
±100  
±200  
nAdc  
U-PKG (U3)  
TO-276AB  
Drain Current  
VGS = 0V, VDS = 160V  
IDSS1  
IDSS2  
25  
0.25  
µAdc  
mAdc  
VGS = 0V, VDS = 160V, Tj = +125°C  
Static Drain-Source On-State Resistance  
Ω
Ω
V
GS = 10V, ID = 17A pulsed  
rDS(on)1  
rDS(on)2  
0.100  
0.105  
VGS = 10V, ID = 27.4A pulsed  
Tj = +125°C  
VGS = 10V, ID = 17A pulsed  
rDS(on)3  
VSD  
0.17  
1.9  
Ω
Diode Forward Voltage  
VGS = 0V, ID = 27.4A pulsed  
Vdc  
T4-LDS-0048 Rev. 1 (072806)  
Page 1 of 2  
12

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2N7225 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFM250 INFINEON

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 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM240 INFINEON

功能相似

 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFN240 INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7225_10 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET
2N72251N6036 MICROSEMI

获取价格

 		1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
2N72251N6036A MICROSEMI

获取价格

 		1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
2N72251N6036AE3 MICROSEMI

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 		1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
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 		1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
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