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2N7228

更新时间： 2024-11-24 07:29:15

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲局域网
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N–CHANNEL POWER MOSFET

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2N7228 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.1
其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATING	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.515 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7228 数据手册

2N7228

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

13.59 (0.535)

13.84 (0.545)

6.32 (0.249)

6.60 (0.260)

3.53 (0.139)

Dia.

1.02 (0.040)

1.27 (0.050)

3.78 (0.149)

V_DSS

500V

12A

I_D(cont)

R_DS(on)

Ω

0.415

FEATURES

• HERMETICALLY SEALED ISOLATED

PACKAGE

• AVALANCHE ENERGY RATING

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

0.89 (0.035)

1.14 (0.045)

3.81 (0.150)

BSC

3.81 (0.150)

BSC

• ALSO AVAILABLE IN A SURFACE

MOUNT PACKAGE

TO–254AA – Metal Package

Pin 1 – Drain

Pin 2 – Source

Pin 3 – Gate

• EASE OF PARALLELING

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

±20V

12A

(V = 10V , T

= 25°C)

case

(V = 10V , T

= 100°C)

case

Pulsed Drain Current

48A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

150W

Linear Derating Factor

1.2W/°C

750mJ

12A

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

15mJ

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

3.5V/ns

–55 to 150°C

300°C

Operating and Storage Temperature Range

stg

Lead Temperature measured / ” (1.6mm) from case for 10 sec.

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Case to Sink (Typical)

Thermal Resistance Junction to Ambient

0.83°C/W

0.21°C/W

48°C/W

θJC

θCS

θJA

Notes

1) Repetitive Rating – Pulse width limited by Maximum Junction Temperature

2) @ V = 50V , L ≥ 9.4mH , R = 25Ω , Peak I = 12A , Starting T = 25°C

3) @ I ≤ 12A , di/dt ≤ 130A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , Suggested R = 2.35Ω

J G

DSS

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7228_10	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N72281N6036	MICROSEMI	获取价格	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
2N72281N6036A	MICROSEMI	获取价格	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
2N72281N6036AE3	MICROSEMI	获取价格	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
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2N72281N6072	MICROSEMI	获取价格	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
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2N7228D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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