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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 98 ns | 最大开启时间（吨）： | 105 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7261PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7261U | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7262 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-205AF |
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| 2N7268 | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N7268U | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N7268U | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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