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2N7269

更新时间： 2024-11-29 19:10:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	176K
描述
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN

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2N7269 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	26 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7269 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET

Reference MIL-PRF-19500/603

DEVICES

LEVELS

2N7269

2N7269U

JANSR (100K RAD(Si))

JANSF (300K RAD(Si))

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

200

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

26.0

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

16.0

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

150 ⁽¹⁾

0.100 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

TO-254AA

JANSR2N7269, JANSF2N7269

See Figure 1

Note: (1) Derated Linearly by 1.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 12Vdc, I_D= 16.0A

PRE-IRRADIATION ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise

noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

200

Vdc

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

Vdc

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA, T_j= +125°C

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA, T_j= -55°C

Gate Current

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

U-PKG (SMD-1)

(TO-267AB)

JANSR2N7269U, JANSF2N7269U

See Figure 2

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= 160V

I_DSS1

I_DSS2

I_DSS3

1.0

0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 200V, T_j= +125°C

V_GS= 0V, V_DS= 160V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= 12V, I_D= 16.0A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.100

0.110

_GS= 12V, I_D= 26.0A pulsed

T_j= +125°C

_GS= 12V, I_D= 16.0A pulsed

r_DS(on)3

0.200

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 26.0A pulsed

V_SD

1.4

Vdc

7T4-LDS-0122 Rev. 2 (101017)

Page 1 of 5

12 3 4 5

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与2N7269相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7269D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2N7269U	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7269UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2N726LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,
2N727	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
2N7270	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-254AA
2N7270D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7270U	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7270UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7271	RENESAS	获取价格	14A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

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