是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | RADIATION HARDENED | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-205AF | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N7272D | RENESAS |
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8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | |
2N7272D1 | RENESAS |
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2N7272D1 | |
2N7272D2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF | |
2N7272D3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF | |
2N7272H | RENESAS |
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8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | |
2N7272H1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF | |
2N7272H2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF | |
2N7272H3 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,8A I(D),TO-205AF | |
2N7272R | RENESAS |
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8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | |
2N7272R1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |