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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.195 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257AA | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 236 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 472 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7273D | RENESAS |
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12A, 100V, 0.195ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| 2N7273D1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7273D2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7273D3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7273H | RENESAS |
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12A, 100V, 0.195ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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| 2N7273H1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7273H2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7273H3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7273H4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7273R | RENESAS |
获取价格 |
12A, 100V, 0.195ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
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